书名：《纳米集成电路FinFET器件物理与模型》
索书号：TN4/33
作者：(美) 萨马·K.萨哈
出版社：机械工业出版社
出版时间：2022年02月
内容简介：
本书讲解FinFET器件电子学,介绍FinFET器件的结构、工作原理和模型等。本书主要内容有:主流MOSFET在22nm节点以下由于短沟道效应所带来的缩小限制概述;基本半导体电子学和pn结工作原理;多栅MOS电容器系统的基本结构和工作原理;非平面CMOS工艺中的FinFET器件结构和工艺技术;FinFET基本理论;FinFET小尺寸效应;FinFET泄漏电流;FinFET寄生电阻和寄生电容;FinFET工艺、器件和电路设计面临的主要挑战;FinFET器件紧凑模型。
